Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 276 ofert spośród 4 769 630 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V AG-ECONO2B-411 280 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 280 W Typ opakowania = AG-ECONO2B-411
Infineon
FP50R12KT4B11BPSA1
od PLN 435,981*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 7,5A; 1,6W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 7,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 20mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,6W Polaryzacja: unipola...
onsemi
FDS6910
od PLN 2,32*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor ogólnego przeznaczenia, NPN, 50V, SC-59 (2 ofert) 
Tranzystor ogólnego przeznaczenia, Typ=BC847AE6327HTSA1, Ciągły prąd kolektora (Ic)=100 mA, Częstotliwość tranzytowa=250 MHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=50 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=6 V, N...
Infineon
BC847AE6327HTSA1
od PLN 0,112*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V AG-ECONO2B-411 280 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalna strata mocy = 280 W Typ opakowania = AG-ECONO2B-411
Infineon
FP50R12KT4BPSA1
od PLN 440,7948*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 20V; 6,7A; 3,1W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 6,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 22mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 3,1W Polaryzacja: unipola...
Vishay
SI9926CDY-T1-E3
od PLN 1,30*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor ogólnego przeznaczenia, NPN, 65V, SOT-23 (1 Oferta) 
Tranzystor ogólnego przeznaczenia, Typ=BC846B, Ciągły prąd kolektora (Ic)=100 mA, Częstotliwość tranzytowa=100 MHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=80 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=6 V, Napięcie ko...
NXP
BC846B
od PLN 0,0919*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 450 A Uce 1700 V 2,5 kW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 450 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1700 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 2,5 kW Konfiguracja = Podwójna Typ montażu = ...
Infineon
FF450R17ME4BOSA1
od PLN 1 099,027*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 20V; 10A; 1W; DFN2x5 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DFN2x5 Struktura półprzewodnika: wspólny dren Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,5mΩ Typ tran...
Alpha & Omega Semiconductor
AON5816
od PLN 1,33*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor ogólnego przeznaczenia, NPN, 65V, TO-92 (3 ofert) 
Tranzystor ogólnego przeznaczenia, Typ=BC546CTA, Ciągły prąd kolektora (Ic)=100 mA, Częstotliwość tranzytowa=150 MHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=80 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=6 V, Napięcie ...
onsemi
BC546CTA
od PLN 0,191*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V AG-EASY2B Wspólny nadajnik kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Moduł IGBT PIM PIM (Power zintegrowany Modules) Infineon EasyPIM™ 2B 1200 V, 50 A z trójfazowym prostownikiem PIM (Power zintegrowany Modules) z TRENCHSTOP™ IGBT7, 7 diodą ze sterowaniem emiterem, ...
Infineon
FP50R12W2T7B11BOMA1
od PLN 217,67*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 20V; 0,54A; 0,25W; SOT563 (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT563 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 0,54A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,9Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,25W Polaryzacja: un...
onsemi
NTZD3154NT1G
od PLN 0,339*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor ogólnego przeznaczenia, NPN, 80V, SOT-223 (1 Oferta) 
Tranzystor ogólnego przeznaczenia, Typ=BCP56-10, Ciągły prąd kolektora (Ic)=1 A, Częstotliwość tranzytowa=180 MHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=100 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=5 V, Napięcie ko...
NXP
BCP56-10
od PLN 0,56*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V AG-ECONO2B-411 280 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 280 W Typ opakowania = AG-ECONO2B-411
Infineon
FS50R12KT4B15BPSA1
od PLN 365,60*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 8,4A; 1,5W; SO8 (2 ofert) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 8,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 22mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,5W Polaryz...
Diodes
DMG4800LSD-13
od PLN 0,665*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor ogólnego przeznaczenia, NPN, 80V, SOT-89 (1 Oferta) 
Tranzystor ogólnego przeznaczenia, Typ=BCX56-16, Ciągły prąd kolektora (Ic)=1 A, Częstotliwość tranzytowa=180 MHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=100 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=5 V, Napięcie ko...
NXP
BCX56-16
od PLN 0,78*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   371   372   373   374   375   376   377   378   379   380   381   ..   1352   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.