Podgląd | "Tranzystor"Pojęcia nadrzędne Pojęcia podrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 200mA, TO-92 (3 ofert) Nazwa produktu=Tranzystor MOSFET, Typ=2N7000TA, Ciągły prąd drenu (Id)=200 mA, Czas narastania=10 ns, Czas opadania=10 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=10 ns, Czas opóźnienia włączenia=10 ns, Napięci... |
|
od PLN 0,34*
za szt. |
| |
IGBT Ic 300 A Uce 1700 V CTI 1,8 kW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 300 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1700 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 1,8 kW Typ opakowania = CTI Typ montażu = Mon... |
|
od PLN 719,913*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 27A; 250W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 27A Prąd kolektora w impulsie: 65A Czas załączania: 20ns ... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT15GP60BDQ1G |
od PLN 23,05*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 200mA, TO-92 (3 ofert) Nazwa produktu=Tranzystor MOSFET, Typ=2N7000, Ciągły prąd drenu (Id)=200 mA, Czas opóźnienia wyłączenia=10 ns, Czas opóźnienia włączenia=10 ns, Napięcie bramka-źródło=20 V, Napięcie źródłowe drenu ... |
|
od PLN 0,466*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 349,0602*
za 30 szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 80A; 625W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 80A Prąd kolektora w impulsie: 239A Czas załączania: 49ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT80GA90B |
od PLN 46,21*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 200mA, TO-92 (2 ofert) Nazwa produktu=Tranzystor MOSFET, Typ=2N7000, Ciągły prąd drenu (Id)=200 mA, Czas opóźnienia wyłączenia=10 ns, Czas opóźnienia włączenia=10 ns, Napięcie bramka-źródło=40 V, Napięcie źródłowe drenu ... |
|
od PLN 0,32*
za szt. |
| |
|
ST Microelectronics STGWA25IH135DF2 |
od PLN 10,12*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 80A; 625W; TO264 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 80A Prąd kolektora w impulsie: 239A Czas załączania: 49ns C... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT80GA90LD40 |
od PLN 62,09*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 200mA, TO-92 (3 ofert) Nazwa produktu=Tranzystor MOSFET, Typ=2N7000-D26Z, Ciągły prąd drenu (Id)=200 mA, Czas opóźnienia wyłączenia=-999, Czas opóźnienia włączenia=-999, Napięcie bramka-źródło=20 V, Napięcie źródłowe dre... |
|
od PLN 0,415*
za szt. |
| |
IGBT Ic 30 A Uce 1100 V 1 TO-247 (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1100 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 5.8V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Montaż po... |
|
od PLN 8,63*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; Trench; 1,2kV; 48A; 390W; ISO247™ (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISO247™ Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 48A Prąd kolektora w impulsie: 160A Czas załączania: 52ns Czas wyłączania... |
|
od PLN 33,92*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 5,06*
za szt. |
| |
IGBT Ic 34 A Uce 600 V PG-TO247-3-AI Izolacja 111 W (1 Oferta) Tranzystor bibiegunowy z izolowaną bramką i szybką diodą antyrównoległą z serii Infineon o wysokiej prędkości, w całkowicie odizolowanym opakowaniu.Wysoka sprawność Niskie straty przy przełączaniem... |
Infineon IKFW40N60DH3EXKSA1 |
od PLN 14,953*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 44A; 337W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 44A Prąd kolektora w impulsie: 130A Czas załączania: 29ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT44GA60B |
od PLN 32,18*
za szt. |
| |
|
