Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 677 ofert spośród 4 812 111 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Infineon IRFB3256 tranzystor 40 V (2 ofert)
Infineon
IRFB3256PBF
od PLN 5,09*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 650 V 1 TO-247-3-HCC Pojedynczy kanał: N 83 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 1 Konfiguracja = Pojedyncza Typ montażu = Otwór pr...
Infineon
IKWH30N65WR6XKSA1
od PLN 6,699*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; Trench; 600V; 39A; 123W; TO262 (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: INFINEON TECHNOLOGIE...
Infineon
AUIRGSL4062D1
od PLN 14,72*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 20A, DPAK (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET, Typ=DI020N06D1, Ciągły prąd drenu (Id)=20 A, Czas narastania=6 ns, Czas opadania=3 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=17 ns, Czas opóźnienia włączenia=6 ns, Napięcie bramka-źródło=20...
Diotec
DI020N06D1
od PLN 1,21*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 25 A Uce 650 V 1 PG-TO220 Pojedynczy kanał: N 32,5 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 25 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 30V Maksymalna strata mocy = 32,5 W Typ opakowania = PG-TO220 Typ kanału = N ...
Infineon
IKA10N65ET6XKSA2
od PLN 3,85*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 68A; 520W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 68A Prąd kolektora w impulsie: 202A Czas załączania: 46ns C...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT68GA60LD40
od PLN 47,07*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 20A, TO-252 (2 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=NTD5867NLT4G, Ciągły prąd drenu (Id)=20 A, Czas narastania=12.6 ns, Czas opadania=2.4 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=18.2 ns, Czas opóźnienia włączenia=6.5 ns, Napięcie bramk...
onsemi
NTD5867NLT4G
od PLN 1,697*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 650 V 1 TO-247-3-HCC Pojedynczy kanał: N 83 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 1 Konfiguracja = Pojedyncza Typ montażu = Otwór pr...
Infineon
IKWH30N65WR6XKSA1
od PLN 7,332*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; PT; 1,2kV; 91A; 1042W; T-Max (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 91A Prąd kolektora w impulsie: 300A Czas załączania: 60ns ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT75GP120B2G
od PLN 105,29*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 210A, D2PAK (4 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=IRFS3206TRRPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=210 A, Czas narastania=82 ns, Czas opadania=83 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=55 ns, Czas opóźnienia włączenia=19 ns, Napięcie bramka-ź...
Infineon
IRFS3206TRRPBF
od PLN 5,23*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 650 V 1 TO-247N Wspólny nadajnik kanał: N 178 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 178 W Konfiguracja = Pojedyncza Typ montażu = O...
ROHM Semiconductor
RGW60TS65DHRC11
od PLN 18,316*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; XPT™; 2,5kV; 40A; 1,5kW; TO247HV (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247HV Napięcie kolektor-emiter: 2,5kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 40A Prąd kolektora w impulsie: 380A Czas załączania: 43ns Czas wyłączania...
IXYS
IXYX40N250CHV
od PLN 164,04*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 650 V 1 TO-247N Wspólny nadajnik kanał: N 178 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Konfiguracja = Pojedyncza Typ montażu = Otwór pr...
ROHM Semiconductor
RGW60TS65CHRC11
od PLN 34,585*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1,2kV; 15A; 127W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 15A Prąd kolektora w impulsie: 45A Czas wyłączania: 346n...
Infineon
IHW15N120R3FKSA1
od PLN 9,76*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 230mA, SOT-23 (2 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=BSS159NH6906XTSA1, Ciągły prąd drenu (Id)=230 mA, Czas narastania=2.9 ns, Czas opadania=9 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=9 ns, Czas opóźnienia włączenia=3.1 ns, Napięcie bram...
Infineon
BSS159NH6906XTSA1
od PLN 1,006*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   371   372   373   374   375   376   377   378   379   380   381   ..   1379   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.