 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 650V; 100A; 892W; T-Max (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 100A Prąd kolektora w impulsie: 400A Czas załączania: 105ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT95GR65B2 |
od PLN 48,03*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 150mA, SOT-523 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=XP261N70025R-G, Ciągły prąd drenu (Id)=150 mA, Czas narastania=4 ns, Czas opadania=9 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=30 ns, Czas opóźnienia włączenia=9 ns, Napięcie bramka-źró... |
Torex Semiconductor XP261N70025R-G |
od PLN 0,48*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 3,196*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 150mA, SOT-723 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=XP261N70027R-G, Ciągły prąd drenu (Id)=150 mA, Czas narastania=4 ns, Czas opadania=9 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=30 ns, Czas opóźnienia włączenia=9 ns, Napięcie bramka-źró... |
Torex Semiconductor XP261N70027R-G |
od PLN 0,44*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 30 A Uce 1200 V PG-TO247-3 200 W (1 Oferta) Dwubiegunowy tranzystor izolowany Infineon szóstej generacji z serii szybkich przełączników miękkich.Wysoka sprawność Niskie straty przy przełączaniem Zwiększona niezawodność Niskie zakłócenia elek... |
Infineon IKW15N120BH6XKSA1 |
od PLN 8,565*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 43A; 337W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 43A Prąd kolektora w impulsie: 129A Czas załączania: 28ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT43GA90B |
od PLN 26,32*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 200 A Uce 650 V 30 TO-247-4LD 268 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 200 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 15V Liczba tranzystorów = 30 Typ opakowania = TO-247-4LD |
|
od PLN 4 429,773*
za 450 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 1,2kV; 54A; 625W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 54A Prąd kolektora w impulsie: 170A Czas załączania: 47n... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT45GP120BG |
od PLN 74,08*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 5,87*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 6,573*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 30 A Uce 600 V 1 TO-247N 230 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247N |
|
od PLN 9,793*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 1,93*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 173A, TO-220 (4 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRFB7537PBF, Ciągły prąd drenu (Id)=173 A, Czas narastania=105 ns, Czas opadania=84 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=82 ns, Czas opóźnienia włączenia=15 ns, Napięcie bramka-źró... |
|
od PLN 3,228*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 3,734*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 64A; 500W; T-Max (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 64A Prąd kolektora w impulsie: 193A Czas załączania: 44ns C... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT64GA90B2D30 |
od PLN 50,43*
za szt. |
|
|
