 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 1A, TO-236 (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=XP263N1001TR-G, Ciągły prąd drenu (Id)=1 A, Czas narastania=8 ns, Czas opadania=10 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=35 ns, Czas opóźnienia włączenia=10 ns, Napięcie bramka-źród... |
Torex Semiconductor XP263N1001TR-G |
od PLN 0,33*
za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGTV80TK65GVC11 |
od PLN 14,98*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 27A; 250W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 27A Prąd kolektora w impulsie: 65A Czas załączania: 20ns ... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT15GP60BG |
od PLN 19,59*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 2.5A, SOT-223 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=ZXMS6004SGTA, Ciągły prąd drenu (Id)=2.5 A, Czas narastania=10 ns, Czas opadania=15 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=45 ns, Czas opóźnienia włączenia=5 ns, Napięcie bramka-źród... |
|
od PLN 1,44*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; Planar; 1,2kV; 5A; 45W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 5A Prąd kolektora w impulsie: 9A Czas załączania: 110ns Czas wyłączania: 35... |
|
od PLN 14,46*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 2.6A, SOT-223 (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=BSP318SH6327XTSA1, Ciągły prąd drenu (Id)=2.6 A, Czas narastania=15 ns, Czas opadania=15 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=20 ns, Czas opóźnienia włączenia=12 ns, Napięcie bramk... |
Infineon BSP318SH6327XTSA1 |
od PLN 1,274*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 30 A Uce 600 V PG-TO252-3 250 W (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 250 W Typ opakowania = PG-TO252-3 Liczba styków... |
|
od PLN 2,939*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; XPT™; 1,7kV; 10A; 280W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 10A Prąd kolektora w impulsie: 84A Czas załączania: 21ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 35,62*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 30 A Uce 600 V 1 TO-247N 230 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247N |
|
od PLN 10,328*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 80A; 625W; TO264 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 80A Prąd kolektora w impulsie: 239A Czas załączania: 49ns C... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT80GA90LD40 |
od PLN 60,30*
za szt. |
|
|
|
Infineon BSS7728NH6327XTSA2 |
od PLN 0,22*
za szt. |
|
|
|
Infineon IKW25N120CS7XKSA1 |
od PLN 19,411*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 44A; 337W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 44A Prąd kolektora w impulsie: 130A Czas załączania: 29ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT44GA60BD30 |
od PLN 29,26*
za szt. |
|
|
|
Infineon SN7002NH6327XTSA2 |
od PLN 0,207*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 30 A Uce 600 V 1 TO-247 230 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 230 W Typ opakowania = TO-247 |
|
od PLN 8,865*
za szt. |
|
|
