 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
IGBT Ic 310 A Uce 950 V Moduł EasyPACK 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 310 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 950 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = Moduł EasyPACK |
|
od PLN 911,441*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 2,14*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 280mA, TO-92 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=TN2106N3-G, Ciągły prąd drenu (Id)=280 mA, Czas narastania=8 ns, Czas opadania=8 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=9 ns, Czas opóźnienia włączenia=5 ns, Napięcie bramka-źródło=2... |
Microchip Technology TN2106N3-G |
od PLN 1,69*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 30 A Uce 1200 V 1 TO-247N 267 W (1 Oferta) ROHM Field stop trench IGBT używany głównie w falowniku i do zastosowań motoryzacyjnych i przemysłowych. Rozpraszanie mocy wynosi 267 Watts.Niski kolektor - napięcie nasycenia emitera Czas wytrzyma... |
ROHM Semiconductor RGS30TSX2DHRC11 |
od PLN 21,353*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 64A; 500W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 64A Prąd kolektora w impulsie: 193A Czas załączania: 44ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT64GA90B |
od PLN 36,02*
za szt. |
|
|
|
Infineon BSS606NH6327XTSA1 |
od PLN 0,752*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 72A; 625W; T-Max (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 72A Prąd kolektora w impulsie: 190A Czas załączania: 55ns C... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT50GP60B2DQ2G |
od PLN 59,54*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 0,15*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 34 A Uce 600 V 1 D2PAK 100 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 34 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 1 Konfiguracja = Pojedyncza |
|
od PLN 14,946*
za szt. |
|
|
|
Qorvo (UnitedSiC) UJ3C065080B3 |
od PLN 43,00*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 300mA, SOT-23 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=PMBF170, Ciągły prąd drenu (Id)=300 mA, Czas opóźnienia wyłączenia=12 ns, Czas opóźnienia włączenia=3 ns, Napięcie bramka-źródło=20 V, Napięcie źródłowe drenu (Vds)=60 V, Rez... |
|
od PLN 0,31*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 34 A Uce 600 V 1 D2PAK 100 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 34 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 1 Konfiguracja = Pojedyncza |
|
od PLN 21,432*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; XPT™; 1,7kV; 16A; 310W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 16A Prąd kolektora w impulsie: 100A Czas załączania: 35ns Czas wyłączania... |
|
od PLN 37,52*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 300mA, SOT-23 (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=XP262N7002TR-G, Ciągły prąd drenu (Id)=300 mA, Czas narastania=4 ns, Czas opadania=9 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=30 ns, Czas opóźnienia włączenia=9 ns, Napięcie bramka-źró... |
Torex Semiconductor XP262N7002TR-G |
od PLN 0,132*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 30 A Uce 1200 V 1 TO-247N 267 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 267 W Konfiguracja = Pojedyncza Liczba styków = 3 |
ROHM Semiconductor RGS30TSX2HRC11 |
od PLN 16,341*
za szt. |
|
|
