Podgląd | "Tranzystor"Pojęcia nadrzędne Pojęcia podrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 64A, TO-263 (4 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRFZ48NSTRLPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=64 A, Czas narastania=78 ns, Czas opadania=50 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=34 ns, Czas opóźnienia włączenia=12 ns, Napięcie bramka-źr... |
|
od PLN 2,344*
za szt. |
| |
|
Infineon IKWH20N65WR6XKSA1 |
od PLN 7,70*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,2kV; 40A; 500W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 40A Prąd kolektora w impulsie: 160A Czas załączania: 47n... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT40GR120B |
od PLN 31,08*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 6,615*
za szt. |
| |
IGBT Ic 193 A Uce 650 V 2 INT-A-PAK kanał: N 517 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 193 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Maksymalna strata mocy = 517 W Typ opakowania = INT-A-PAK Typ montażu ... |
|
od PLN 361,722*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; PT; 1,2kV; 20A; 250W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 20A Prąd kolektora w impulsie: 50A Czas załączania: 21ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT13GP120BG |
od PLN 25,88*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 75A, TO-220 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=IRF1010ZPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=75 A, Czas narastania=150 ns, Czas opadania=92 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=36 ns, Czas opóźnienia włączenia=18 ns, Napięcie bramka-źród... |
|
od PLN 4,27*
za szt. |
| |
|
Infineon FP200R12N3T7BPSA1 |
od PLN 1 110,844*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,2kV; 50A; 625W; TO264 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 150A Czas załączania: 77ns ... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT50GT120LRG |
od PLN 73,18*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 85A, TO-220 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRF1010NPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=85 A, Czas narastania=76 ns, Czas opadania=48 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=39 ns, Czas opóźnienia włączenia=13 ns, Napięcie bramka-źródł... |
|
od PLN 3,44*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 19,674*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; PT; 1,2kV; 33A; 417W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 33A Prąd kolektora w impulsie: 90A Czas załączania: 26ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT25GP120BG |
od PLN 59,64*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 85A, TO-263 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRF1010NSTRLPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=85 A, Czas narastania=76 ns, Czas opadania=48 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=39 ns, Czas opóźnienia włączenia=13 ns, Napięcie bramka-ź... |
|
od PLN 2,069*
za szt. |
| |
IGBT Ic 200 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 200 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW |
Infineon FP200R12N3T7B11BPSA1 |
od PLN 1 314,723*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,2kV; 50A; 694W; T-Max (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 200A Czas załączania: 66ns ... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT50GR120B2 |
od PLN 45,38*
za szt. |
| |
|
