 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 600V, 20A, TO-220FP (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=STP20NM60FP, Ciągły prąd drenu (Id)=20 A, Czas narastania=20 ns, Czas opadania=11 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=42 ns, Czas opóźnienia włączenia=25 ns, Napięcie bramka-źródł... |
|
od PLN 24,94*
za szt. |
|
|
|
Infineon IKW25N120CS7XKSA1 |
od PLN 19,361*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 27A; 250W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 27A Prąd kolektora w impulsie: 65A Czas załączania: 20ns ... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT15GP60BG |
od PLN 19,73*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 0,34*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 200 A Uce 650 V 2 ECOPACK kanał: NPN 714 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 200 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 714 W Typ opakowania = ECOPACK Typ montażu = M... |
ST Microelectronics STGSB200M65DF2AG |
od PLN 11 375,39*
za 200 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 11A; 190W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 11A Prąd kolektora w impulsie: 40A Czas załączania: 35ns Czas wyłączania: 2... |
|
od PLN 40,00*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 600V, 22A, TO-220 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IXFP22N60P3, Ciągły prąd drenu (Id)=22 A, Czas narastania=17 ns, Czas opadania=19 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=54 ns, Czas opóźnienia włączenia=28 ns, Napięcie bramka-źródł... |
|
od PLN 10,123*
za szt. |
|
|
|
Infineon IKWH20N65WR6XKSA1 |
od PLN 221,79*
za 30 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 44A; 337W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 44A Prąd kolektora w impulsie: 130A Czas załączania: 29ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT44GA60BD30 |
od PLN 29,42*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 600V, 23.8A, TO-220 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IPP60R160C6XKSA1, Ciągły prąd drenu (Id)=23.8 A, Czas narastania=13 ns, Czas opadania=8 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=96 ns, Czas opóźnienia włączenia=13 ns, Napięcie bramka... |
|
od PLN 7,88*
za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGTV80TK65DGVC11 |
od PLN 21,062*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 11A; 190W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 11A Prąd kolektora w impulsie: 40A Czas załączania: 35ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 29,81*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 600V, 28A, TO-3P (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IXFQ28N60P3, Ciągły prąd drenu (Id)=28 A, Czas narastania=18 ns, Czas opadania=19 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=48 ns, Czas opóźnienia włączenia=27 ns, Napięcie bramka-źródł... |
|
od PLN 17,07*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 25 A Uce 1200 V 7 EasyPIM kanał: N 20 mW (1 Oferta) Moduł PIM IGBT Infineon 25 A ma kompaktową konstrukcję i wykorzystuje technologię kontaktową PRESSFIT. Ma niskie napięcie stanu VCESAT.Praca z przeciążeniem do 175°C. Izolacja 2.5 kV AC 1 min Podło... |
Infineon FP25R12W2T7B11BPSA1 |
od PLN 169,262*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 44A; 337W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 44A Prąd kolektora w impulsie: 130A Czas załączania: 29ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT44GA60B |
od PLN 31,64*
za szt. |
|
|
