Podgląd | "Tranzystor"Pojęcia nadrzędne Pojęcia podrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 600V, 300mA, SOT-223 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=STN1NK60Z, Ciągły prąd drenu (Id)=300 mA, Czas narastania=5 ns, Czas opadania=28 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=13 ns, Czas opóźnienia włączenia=5.5 ns, Napięcie bramka-źródł... |
|
od PLN 2,31*
za szt. |
| |
IGBT Ic 200 A Uce 750 V 3 TO247PLUS 1,07 kW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 200 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 750 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 15V Liczba tranzystorów = 3 Typ opakowania = TO247PLUS |
Infineon AIKQ200N75CP2XKSA1 |
od PLN 63,38*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 72,97*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 600V, 400mA, SOT-223 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=STN1HNK60, Ciągły prąd drenu (Id)=400 mA, Czas narastania=5 ns, Czas opadania=25 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=19 ns, Czas opóźnienia włączenia=6.5 ns, Napięcie bramka-źródł... |
|
od PLN 2,91*
za szt. |
| |
IGBT Ic 200 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 200 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW |
Infineon FS200R12N3T7BPSA1 |
od PLN 944,558*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 54A; 416W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 54A Prąd kolektora w impulsie: 161A Czas załączania: 37ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT54GA60B |
od PLN 26,79*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 600V, 42A, ISOPLUS247 (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IXFR64N60Q3, Ciągły prąd drenu (Id)=42 A, Czas narastania=15 ns, Czas opadania=11 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=50 ns, Czas opóźnienia włączenia=45 ns, Napięcie bramka-źródł... |
|
od PLN 117,42*
za szt. |
| |
|
Infineon IKW25N120CS7XKSA1 |
od PLN 16,75*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 21A; 350W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 21A Prąd kolektora w impulsie: 110A Czas załączania: 107ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 73,89*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 600V, 47A, TO-247 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=SPW47N60C3FKSA1, Ciągły prąd drenu (Id)=47 A, Czas narastania=27 ns, Czas opadania=8 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=111 ns, Czas opóźnienia włączenia=18 ns, Napięcie bramka-ź... |
|
od PLN 41,877*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 3,85*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 62A; 543W; T-Max (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 62A Prąd kolektora w impulsie: 160A Czas załączania: 49ns C... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT40GP60B2DQ2G |
od PLN 54,72*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 600V, 4A, TO-220FP (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=STP4NK60ZFP, Ciągły prąd drenu (Id)=4 A, Czas narastania=9.5 ns, Czas opadania=16.5 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=29 ns, Czas opóźnienia włączenia=12 ns, Napięcie bramka-źró... |
|
od PLN 5,34*
za szt. |
| |
IGBT Ic 220 A Uce 950 V 6 EasyPACK kanał: N 20 mW (1 Oferta) 3-pozioniowy moduł IGBT Infineon 400A charakteryzuje się bardzo niskimi stratami przełączania i miękkim wyłączaniem. Spełnia odpowiednie normy 1500V falownika PV. Zapewnia wystarczającą odległość p... |
Infineon F3L400R10W3S7FB11BPSA1 |
od PLN 907,559*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 24A; 250W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 24A Prąd kolektora w impulsie: 75A Czas załączania: 54ns Czas wyłączania: 4... |
|
od PLN 36,14*
za szt. |
| |
|
