 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 600V, 120mA, SOT-223 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=BSP125H6327XTSA1, Ciągły prąd drenu (Id)=120 mA, Czas narastania=14.4 ns, Czas opadania=110 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=20 ns, Czas opóźnienia włączenia=7.7 ns, Napięcie b... |
|
od PLN 0,913*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 200 A Uce 650 V 2 ECOPACK kanał: NPN 714 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 200 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 714 W Typ opakowania = ECOPACK Typ montażu = M... |
ST Microelectronics STGSB200M65DF2AG |
od PLN 71,169*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,6kV; 25A; 300W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,6kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 25A Prąd kolektora w impulsie: 200A Czas załączania: 283ns Czas wyłączani... |
|
od PLN 43,77*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 600V, 120mA, SOT-223 (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=BSP135H6906XTSA1, Ciągły prąd drenu (Id)=120 mA, Czas narastania=5.6 ns, Czas opadania=182 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=28 ns, Czas opóźnienia włączenia=5.4 ns, Napięcie br... |
|
od PLN 3,548*
za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGTV80TK65GVC11 |
od PLN 6 515,802*
za 450 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 1,2kV; 91A; 1042W; T-Max (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 91A Prąd kolektora w impulsie: 300A Czas załączania: 60ns ... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT75GP120B2G |
od PLN 106,13*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 1,995*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 200 A Uce 1200 V TO247-3LD kanał: N 1,07 kW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 200 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 1,07 kW Typ opakowania = TO247-3LD Typ montaż... |
|
od PLN 40,774*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 100A; 830W; PLUS247™ (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 100A Prąd kolektora w impulsie: 600A Czas załączania: 285ns Czas wyłącza... |
|
od PLN 134,06*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 8,84*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 20 A Uce 600 V SDIP2B Szereg 0.08 mW (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 20 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 600V Maksymalna strata mocy = 0.08 mW Typ opakowania = SDIP2B Liczba styków =... |
ST Microelectronics STGIB15CH60TS-LZ |
od PLN 39,83*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 27A; 250W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 27A Prąd kolektora w impulsie: 65A Czas załączania: 20ns ... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT15GP60BDQ1G |
od PLN 22,76*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 600V, 20.7A, TO-220 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=SPP20N60C3XKSA1, Ciągły prąd drenu (Id)=20.7 A, Czas narastania=5 ns, Czas opadania=4.5 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=67 ns, Czas opóźnienia włączenia=10 ns, Napięcie bramka... |
|
od PLN 14,209*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 220 A Uce 950 V 6 EasyPACK kanał: N 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 220 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 950 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 6 Typ opakowania = EasyPACK Typ kanału = N Liczba ... |
Infineon F3L400R10W3S7FB11BPSA1 |
od PLN 854,404*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 10A; 110W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 10A Prąd kolektora w impulsie: 70A Czas załączania: 0,3µs Czas wyłączania: ... |
|
od PLN 23,75*
za szt. |
|
|
