Podgląd | "Tranzystor"Pojęcia nadrzędne Pojęcia podrzędne |
| | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
|
ROHM Semiconductor DTA114YE3HZGTL |
od PLN 0,127* za szt. |
| |
|
|
od PLN 3,612* za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 1kV, 23A, ISOPLUS247 (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IXFR32N100Q3, Ciągły prąd drenu (Id)=23 A, Czas narastania=15 ns, Czas opadania=12 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=54 ns, Czas opóźnienia włączenia=45 ns, Napięcie bramka-źród... |
|
od PLN 132,23* za szt. |
| |
|
ROHM Semiconductor DTA123EE3HZGTL |
od PLN 0,95* za 5 szt. |
| |
|
Alpha & Omega Semiconductor AOK50B65M2 |
od PLN 9,12* za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 1kV, 24A, ISOPLUS247 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IXFX24N100Q3, Ciągły prąd drenu (Id)=24 A, Czas narastania=24 ns, Czas opadania=14 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=45 ns, Czas opóźnienia włączenia=38 ns, Napięcie bramka-źród... |
|
od PLN 78,79* za szt. |
| |
|
ROHM Semiconductor DTA144EU3T106 |
od PLN 2,34* za 25 szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; 900V; 60A; 170W; TO3P (1 Oferta) Producent: NTE Electronics Montaż: THT Obudowa: TO3P Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±25V Prąd kolektora: 60A Prąd kolektora w impulsie: 120A Czas załączania: 460ns Czas wy... |
|
od PLN 97,54* za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 1kV, 24A, TO-264 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IXFK24N100Q3, Ciągły prąd drenu (Id)=24 A, Czas narastania=24 ns, Czas opadania=14 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=45 ns, Czas opóźnienia włączenia=38 ns, Napięcie bramka-źród... |
|
od PLN 77,98* za szt. |
| |
|
|
od PLN 0,1054* za szt. |
| |
IGBT Ic 85 A Uce 650 V 1 PG-TO247 kanał: N 227 W (2 ofert) Infineon IKW30N65EL5 ma 650V napięcie przebicia używane bardzo niskie napięcie nasycenia kolektora emitera i wyższą wydajność dla 50Hz. Ma dłuższy okres eksploatacji i większą niezawodność protokoł... |
|
od PLN 13,435* za szt. |
| |
|
ROHM Semiconductor DTA123EE3HZGTL |
od PLN 0,167* za szt. |
| |
|
|
od PLN 29,91* za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 1kV, 32A, ISOPLUS247 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IXFX32N100Q3, Ciągły prąd drenu (Id)=32 A, Czas narastania=15 ns, Czas opadania=12 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=54 ns, Czas opóźnienia włączenia=45 ns, Napięcie bramka-źród... |
|
od PLN 91,03* za szt. |
| |
|
ROHM Semiconductor DTA123YE3HZGTL |
od PLN 0,73* za 5 szt. |
| |
|