Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (8 528 ofert spośród 4 811 715 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Cyfrowy tranzystor PNP EMT3 -50 V Montaż powierzchniowy 100 mA DTA114YE3HZGTL (1 Oferta) 
Typ tranzystora = PNP Maksymalny prąd DC kolektora = 100 mA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = -50 V Typ opakowania = EMT3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3
ROHM Semiconductor
DTA114YE3HZGTL
od PLN 0,127*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 25 A Uce 650 V 1 PG-TO220 Pojedynczy kanał: N 32,5 W (2 ofert) 
Infineon IKA10N65ET6 to dobra wydajność termiczna, zwłaszcza przy wyższych częstotliwościach oraz zwiększonej marży konstrukcyjnej i niezawodności. Jest to bardzo miękka, szybko odzyskana antyrówno...
Infineon
IKA10N65ET6XKSA2
od PLN 3,612*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 1kV, 23A, ISOPLUS247 (2 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=IXFR32N100Q3, Ciągły prąd drenu (Id)=23 A, Czas narastania=15 ns, Czas opadania=12 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=54 ns, Czas opóźnienia włączenia=45 ns, Napięcie bramka-źród...
IXYS
IXFR32N100Q3
od PLN 132,23*
za szt.
 
 szt.
Cyfrowy tranzystor PNP EMT3 -50 V Montaż powierzchniowy 100 mA DTA123EE3HZGTL (1 Oferta) 
Typ tranzystora = PNP Maksymalny prąd DC kolektora = 100 mA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = -50 V Typ opakowania = EMT3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3
ROHM Semiconductor
DTA123EE3HZGTL
od PLN 0,95*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: IGBT; 650V; 50A; 250W; TO247; Ewył: 1,03mJ; Ezał: 2,09mJ (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±30V Napięcie nasycenia kol.-emit.: 1,72V Prąd kolektora: 50A Prąd kolekto...
Alpha & Omega Semiconductor
AOK50B65M2
od PLN 9,12*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 1kV, 24A, ISOPLUS247 (3 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=IXFX24N100Q3, Ciągły prąd drenu (Id)=24 A, Czas narastania=24 ns, Czas opadania=14 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=45 ns, Czas opóźnienia włączenia=38 ns, Napięcie bramka-źród...
IXYS
IXFX24N100Q3
od PLN 78,79*
za szt.
 
 szt.
Cyfrowy tranzystor PNP SOT-323 -50 V Montaż powierzchniowy 100 mA DTA144EU3T106 (2 ofert) 
Typ tranzystora = PNP Maksymalny prąd DC kolektora = 100 mA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = -50 V Typ opakowania = SOT-323 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Liczba element...
ROHM Semiconductor
DTA144EU3T106
od PLN 2,34*
za 25 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: IGBT; 900V; 60A; 170W; TO3P (1 Oferta) 
Producent: NTE Electronics Montaż: THT Obudowa: TO3P Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±25V Prąd kolektora: 60A Prąd kolektora w impulsie: 120A Czas załączania: 460ns Czas wy...
NTE Electronics
NTE3322
od PLN 97,54*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 1kV, 24A, TO-264 (3 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=IXFK24N100Q3, Ciągły prąd drenu (Id)=24 A, Czas narastania=24 ns, Czas opadania=14 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=45 ns, Czas opóźnienia włączenia=38 ns, Napięcie bramka-źród...
IXYS
IXFK24N100Q3
od PLN 77,98*
za szt.
 
 szt.
Cyfrowy tranzystor PNP SC-75 -50 V Montaż powierzchniowy -100 mA DTA114YET1G (2 ofert) 
Typ tranzystora = PNP Maksymalny prąd DC kolektora = -100 mA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = -50 V Typ opakowania = SC-75 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Maksymalna strata mocy = 300 mW K...
onsemi
DTA114YET1G
od PLN 0,1054*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 85 A Uce 650 V 1 PG-TO247 kanał: N 227 W (2 ofert) 
Infineon IKW30N65EL5 ma 650V napięcie przebicia używane bardzo niskie napięcie nasycenia kolektora emitera i wyższą wydajność dla 50Hz. Ma dłuższy okres eksploatacji i większą niezawodność protokoł...
Infineon
IKW30N65EL5XKSA1
od PLN 13,435*
za szt.
 
 szt.
Cyfrowy tranzystor PNP EMT3 -50 V Montaż powierzchniowy 100 mA DTA123EE3HZGTL (1 Oferta) 
Typ tranzystora = PNP Maksymalny prąd DC kolektora = 100 mA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = -50 V Typ opakowania = EMT3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3
ROHM Semiconductor
DTA123EE3HZGTL
od PLN 0,167*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 10A; 140W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 10A Prąd kolektora w impulsie: 40A Czas załączania: 63ns Czas wyłączania:...
IXYS
IXBH10N170
od PLN 29,91*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 1kV, 32A, ISOPLUS247 (3 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=IXFX32N100Q3, Ciągły prąd drenu (Id)=32 A, Czas narastania=15 ns, Czas opadania=12 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=54 ns, Czas opóźnienia włączenia=45 ns, Napięcie bramka-źród...
IXYS
IXFX32N100Q3
od PLN 91,03*
za szt.
 
 szt.
Cyfrowy tranzystor PNP EMT3 -50 V Montaż powierzchniowy 100 mA DTA123YE3HZGTL (1 Oferta) 
Typ tranzystora = PNP Maksymalny prąd DC kolektora = 100 mA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = -50 V Typ opakowania = EMT3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3
ROHM Semiconductor
DTA123YE3HZGTL
od PLN 0,73*
za 5 szt.
 
 opakowania
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   311   312   313   314   315   316   317   318   319   320   321   ..   569   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.