Podgląd | "Tranzystor"Pojęcia nadrzędne Pojęcia podrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
IGBT Ic 247 A Uce 650 V 2 INT-A-PAK kanał: N 517 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 247 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Maksymalna strata mocy = 517 W Typ opakowania = INT-A-PAK Typ montażu ... |
|
od PLN 315,117*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 160,54*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 10A, TO-220AB (4 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRLZ14PBF, Ciągły prąd drenu (Id)=10 A, Czas narastania=110 ns, Czas opadania=26 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=17 ns, Czas opóźnienia włączenia=9.3 ns, Napięcie bramka-źródł... |
|
od PLN 1,87*
za szt. |
| |
IGBT Ic 25 A Uce 1200 V 1 TO-247 kanał: N 231 W (2 ofert) Seria Infineon IHW z odwróconymi diodami IGBT 1200 V, 25 A z monolitycznie zintegrowaną diodą w PAKIECIE TO-247, skupiającym się na wydajności i niezawodności systemu dla wymagających wymagań gotow... |
|
od PLN 7,977*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 43A; 337W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 43A Prąd kolektora w impulsie: 129A Czas załączania: 28ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT43GA90B |
od PLN 26,53*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 115mA, SOT-23 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=2N7002, Ciągły prąd drenu (Id)=115 mA, Czas opóźnienia wyłączenia=20 ns, Czas opóźnienia włączenia=20 ns, Napięcie bramka-źródło=20 V, Napięcie źródłowe drenu (Vds)=60 V, Rez... |
|
od PLN 0,31*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; NPT; 2,5kV; 75A; 780W; TO264 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 2,5kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 75A Prąd kolektora w impulsie: 530A Czas załączania: 280ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 416,98*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 115mA, SOT-323 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=2N7002W, Ciągły prąd drenu (Id)=115 mA, Czas opóźnienia wyłączenia=-999, Czas opóźnienia włączenia=-999, Napięcie bramka-źródło=20 V, Napięcie źródłowe drenu (Vds)=60 V, Rezy... |
|
od PLN 0,0917*
za szt. |
| |
IGBT Ic 30 A Uce 1200 V 1 TO-247N 267 W (1 Oferta) Układ ROHM z ogranicznikiem polowym IGBT używany głównie w układzie PFC, UPS, IH i układzie kondycjonera mocy. Rozpraszanie mocy wynosi 267 Watts.Niski kolektor - napięcie nasycenia emitera Czas wy... |
ROHM Semiconductor RGS30TSX2GC11 |
od PLN 15,612*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 50A; 543W; T-Max (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 160A Czas załączania: 37ns C... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT40GP90B2DQ2G |
od PLN 78,50*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 115mA, SOT-363 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=2N7002DW, Ciągły prąd drenu (Id)=115 mA, Czas opóźnienia wyłączenia=20 ns, Czas opóźnienia włączenia=20 ns, Napięcie bramka-źródło=20 V, Napięcie źródłowe drenu (Vds)=60 V, R... |
|
od PLN 0,40*
za szt. |
| |
IGBT Ic 25 A Uce 1200 V 1 TO-247 kanał: N 231 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 25 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 231 W Typ opakowania = TO-247 Typ kanału = N Li... |
|
od PLN 8,151*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 183,64*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 11A, SOT-223 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=TSM900N06CW RPG, Ciągły prąd drenu (Id)=11 A, Czas narastania=9.5 ns, Czas opadania=5.3 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=18.4 ns, Czas opóźnienia włączenia=2.9 ns, Napięcie bra... |
Taiwan Semiconductor TSM900N06CW RPG |
od PLN 1,33*
za szt. |
| |
IGBT Ic 25 A Uce 1200 V 7 kanał: N 160 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 25 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 160 W Konfiguracja = Emiter wspólny Typ montaż... |
|
od PLN 351,441*
za szt. |
| |
|
