Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 067 ofert spośród 4 795 407 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Infineon
IRF1010ZPBF
od PLN 5,517*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 20 A Uce 1200 V PG-TO247-3 288 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 20 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 25V Maksymalna strata mocy = 288 W Typ opakowania = PG-TO247-3
Infineon
IHW20N120R5XKSA1
od PLN 9,051*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; PT; 1,2kV; 46A; 543W; T-Max (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 46A Prąd kolektora w impulsie: 140A Czas załączania: 36ns ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT35GP120B2D2G
od PLN 80,49*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 95A, TO-247 (3 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=IRFP1405PBF, Ciągły prąd drenu (Id)=95 A, Czas narastania=160 ns, Czas opadania=150 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=140 ns, Czas opóźnienia włączenia=12 ns, Napięcie bramka-źr...
Infineon
IRFP1405PBF
od PLN 7,979*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 200 A Uce 1200 V TO247-3LD kanał: N 1,07 kW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 200 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 1,07 kW Typ opakowania = TO247-3LD Typ montaż...
onsemi
FGY100T120RWD
od PLN 44,845*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,2kV; 70A; 961W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 70A Prąd kolektora w impulsie: 280A Czas załączania: 81ns ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT70GR120L
od PLN 55,12*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 600V, 10A, TO-220AB (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET, Typ=STP10NK60Z, Ciągły prąd drenu (Id)=10 A, Czas narastania=20 ns, Czas opadania=30 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=55 ns, Czas opóźnienia włączenia=20 ns, Napięcie bramka-źródło...
brak danych
STP10NK60Z
od PLN 10,47*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 200 A Uce 650 V 30 TO-247-4LD 268 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 200 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 15V Maksymalna strata mocy = 268 W Typ opakowania = TO-247-4LD
onsemi
FGH4L50T65SQD
od PLN 4 438,2915*
za 450 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: IGBT; PT; 1,2kV; 46A; 543W; T-Max (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 46A Prąd kolektora w impulsie: 140A Czas załączania: 36ns ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT35GP120B2DQ2G
od PLN 252,65*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 600V, 10A, TO-220FP (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET, Typ=STP10NK60ZFP, Ciągły prąd drenu (Id)=10 A, Czas narastania=20 ns, Czas opadania=30 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=55 ns, Czas opóźnienia włączenia=20 ns, Napięcie bramka-źród...
brak danych
STP10NK60ZFP
od PLN 8,77*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 200 A Uce 1200 V 7 Moduł 3-fazy kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 200 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 7 Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Montaż w ...
Infineon
FP200R12N3T7BPSA1
od PLN 13 281,22*
za 10 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,2kV; 75A; 781W; T-Max (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 75A Prąd kolektora w impulsie: 150A Czas załączania: 68ns ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT50GF120B2RG
od PLN 88,60*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 600V, 110A, ISOPLUS264 (3 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=IXFB110N60P3, Ciągły prąd drenu (Id)=110 A, Czas narastania=30 ns, Czas opadania=15 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=106 ns, Czas opóźnienia włączenia=63 ns, Napięcie bramka-źr...
IXYS
IXFB110N60P3
od PLN 67,80*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 20 A Uce 600 V 1 TO-247 192 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 20 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 192 W Typ opakowania = TO-247
Bourns
BIDW20N60T
od PLN 5 267,094*
za 600 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: IGBT; PT; 1,2kV; 54A; 625W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 54A Prąd kolektora w impulsie: 170A Czas załączania: 47n...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT45GP120BG
od PLN 74,62*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   311   312   313   314   315   316   317   318   319   320   321   ..   1338   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.