 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
|
|
od PLN 0,524*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 200 A Uce 750 V 3 TO247PLUS 1,07 kW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 200 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 750 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 15V Liczba tranzystorów = 3 Typ opakowania = TO247PLUS |
Infineon AIKQ200N75CP2XKSA1 |
od PLN 14 042,3904*
za 240 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 68A; 520W; TO264 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 68A Prąd kolektora w impulsie: 202A Czas załączania: 46ns C... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT68GA60LD40 |
od PLN 47,41*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 600V, 64A, TO-264 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IXFK64N60P3, Ciągły prąd drenu (Id)=64 A, Czas narastania=17 ns, Czas opadania=11 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=66 ns, Czas opóźnienia włączenia=43 ns, Napięcie bramka-źródł... |
|
od PLN 36,65*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 25 A Uce 1200 V 7 EasyPIM kanał: N 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 25 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = EasyPIM Typ kanału = N L... |
Infineon FP25R12W2T7B11BPSA1 |
od PLN 2 708,08005*
za 15 szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 600V, 6A, TO-220FP (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=STP6NK60ZFP, Ciągły prąd drenu (Id)=6 A, Czas narastania=14 ns, Czas opadania=19 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=47 ns, Czas opóźnienia włączenia=14 ns, Napięcie bramka-źródło... |
|
od PLN 9,25*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 26 A Uce 600 V 1 DO-220-3 130 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 26 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = DO-220-3 |
|
od PLN 3,637*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 72A; 625W; T-Max (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 72A Prąd kolektora w impulsie: 190A Czas załączania: 55ns C... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT50GP60B2DQ2G |
od PLN 59,90*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 600V, 80A, TO-264 (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IXFK80N60P3, Ciągły prąd drenu (Id)=80 A, Czas narastania=25 ns, Czas opadania=8 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=87 ns, Czas opóźnienia włączenia=48 ns, Napięcie bramka-źródło... |
|
od PLN 47,01*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 23 A Uce 600 V TO-220AB Pojedynczy kanał: N (1 Oferta) Pojedynczy IGBT do 20A, Infineon. Zoptymalizowane układy IGBT przeznaczone do zastosowań w średnich częstotliwościach z szybką reakcją, zapewniające użytkownikowi najwyższą dostępną wydajność. Urzą... |
|
od PLN 301,98*
za 50 szt. |
|
|
|
|
od PLN 0,81*
za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGTV80TK65GVC11 |
od PLN 14,99*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 96A; 833W; T-Max (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 96A Prąd kolektora w impulsie: 250A Czas załączania: 84ns C... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT65GP60B2G |
od PLN 75,52*
za szt. |
|
|
|
Infineon IPD60R360P7SAUMA1 |
od PLN 1,386*
za szt. |
|
|
|
ST Microelectronics STGWA25IH135DF2 |
od PLN 12,699*
za szt. |
|
|
