Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 067 ofert spośród 4 795 412 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 3A; 75W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 3A Prąd kolektora w impulsie: 24A Czas załączania: 85ns Czas wyłączania: 0,...
IXYS
IXGT6N170
od PLN 15,02*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 1100 V 1 TO-247 (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1100 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 5.8V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Montaż po...
Infineon
SP005727472
od PLN 10,386*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 96A; 833W; TO264MAX (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264MAX Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 96A Prąd kolektora w impulsie: 250A Czas załączania: 85n...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT65GP60L2DQ2G
od PLN 100,50*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 1.7A, SOT-23 (2 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=FDN5630, Ciągły prąd drenu (Id)=1.7 A, Czas narastania=15 ns, Czas opadania=15 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=28 ns, Czas opóźnienia włączenia=20 ns, Napięcie bramka-źródło=2...
onsemi
FDN5630
od PLN 0,59*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 23 A Uce 650 V 1 TO-3PFM Wspólny nadajnik kanał: N 85 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 23 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 85 W Typ opakowania = TO-3PFM Typ montażu = Otw...
ROHM Semiconductor
RGTV80TK65DGVC11
od PLN 17,98*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 3A; 75W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 3A Prąd kolektora w impulsie: 14A Czas załączania: 91ns Czas wyłączania: 27...
IXYS
IXGT6N170A
od PLN 42,48*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 1.7A, SOT-23 (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET, Typ=FDN5630, Ciągły prąd drenu (Id)=1.7 A, Czas narastania=6 ns, Czas opadania=5 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=15 ns, Czas opóźnienia włączenia=10 ns, Napięcie bramka-źródło=20 ...
Fairchild
FDN5630
od PLN 1,01*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 247 A Uce 650 V 2 INT-A-PAK kanał: N 517 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 247 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Liczba tranzystorów = 2 Typ opakowania = INT-A-PAK Typ montażu = Monta...
Vishay
VS-GT100TS065S
od PLN 300,89*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 35A; 290W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 35A Prąd kolektora w impulsie: 105A Czas załączania: 25ns...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT35GA90BD15
od PLN 27,09*
za szt.
 
 szt.
Infineon
BSP295H6327XTSA1
od PLN 1,387*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 6A; 75W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 6A Prąd kolektora w impulsie: 14A Czas załączania: 91ns Czas wyłączania: ...
IXYS
IXGH6N170A
od PLN 33,15*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 100A, TO-220 (2 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=TSM100N06CZ C0G, Ciągły prąd drenu (Id)=100 A, Czas narastania=19 ns, Czas opadania=43 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=85 ns, Czas opóźnienia włączenia=25 ns, Napięcie bramka-...
Taiwan Semiconductor
TSM100N06CZ C0G
od PLN 3,64*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 1200 V 1 TO-247N 267 W (1 Oferta) 
ROHM Field stop trench IGBT używane głównie w falowniku, UPS, falowniku PV i kondycjonerze mocy. Rozpraszanie mocy wynosi 267 Watts.Niski kolektor - napięcie nasycenia emitera Czas wytrzymania zwar...
ROHM Semiconductor
RGS30TSX2DGC11
od PLN 19,569*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 36A; 417W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 36A Prąd kolektora w impulsie: 110A Czas załączania: 29ns...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT25GP90BG
od PLN 37,17*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 10A, TO-220AB (3 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=IRFZ14PBF, Ciągły prąd drenu (Id)=10 A, Czas narastania=50 ns, Czas opadania=19 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=13 ns, Czas opóźnienia włączenia=10 ns, Napięcie bramka-źródło=...
Vishay
IRFZ14PBF
od PLN 1,37*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   311   312   313   314   315   316   317   318   319   320   321   ..   1338   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.